深圳市兴联达电子有限公司

H8BCS0SI0MBR-46M-C  1+2

特性(MCP)●操作温度- -30摄氏度~ 85 oc

         ●x13mm2包装- 107 -球FBGA - 10.5,1.2,0.8毫米间距——领导&无卤素(快闪记忆体)

         ●多翼机架构

         ●电源电压- Vcc = 1.7 - 1.95 V

         ●存储单元阵列——(1 k + 32)话说x 64 x 64页块

         ●页面大小-(2 k + 64备用)字节

         ●块大小——(128 k + 4 k备用)字节

         ●页面读/程序,随机存取:25我们(max。)——顺序存取:45 ns(min)。页的项目时间:250年美国(typ。)-多页计划时间(2页):250(typ)。

         ●复制程序——自动闭塞没有延迟时间

         ●快速块擦除块擦除时间:2.0毫秒(typ。)——多个块擦除时间(2块):2.0毫秒(typ)。

         ●缓存读——内部(2048 + 64)改善readthroughtput字节缓冲区。

         ●状态寄存器,正常状态寄存器(读/程序/擦除)——扩展状态寄存器(EDC)

         ●对写/擦除块保护——保护块

         ●硬件数据保护程序/删除锁定在权力过渡。

         ●数据保留- 100000计划/消除周期(1位/ 528字节ECC)- 10年数据保留

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